产品中心

叠阵半导体激光器是杏林睿光自主研发、设计、制造的高可靠性、高定制化的堆栈半导体激光器,采用可靠的封装技术以及低热阻结构的设计,可实现不同形式下的高占空比和高峰值功率输出。亦可多波长输出、宽温工作,可接受快轴压缩定制,全线产品接受792nm~818nm、940nm~960nm波长定制以及不同结构的定制。产品主要应用于泵浦源、材料加工、激光照明、医疗美容、科研应用等。

中心波长λc(nm) 940 790-812
中心波长范围δλc(nm) ±5 ±3
每Bar输出功率(W) 100 100 200
Bar数量 1-2 1-5 1-3
Bar长度(mm) 10 10
Bar间距(mm) 0.8 0.43 0.55
中心波长λc(nm) 790-812
中心波长范围δλc(nm) ±3
每Bar输出功率(W) 100 200
每组Bar数量 9 7
Bar间距(mm) 0.43 0.55
发光面积(mm×mm) 3.5×43 3.3×43
组间距 (mm) 1
组数量 4
中心波长λc(nm) 940 790-812
中心波长范围δλc(nm) ±5 ±3
每Bar输出功率(W) 100 100 200
Bar数量 1-2 3-6 2-4
Bar长度(mm) 10 10
Bar间距(mm) 0.8 0.43 0.55
中心波长λc(nm) 940 790-812
中心波长范围δλc(nm) ±5 ±3
每Bar输出功率(W) 100 100 200
Bar数量 1-2 5-12 5-10
Bar长度(mm) 10 10
Bar间距(mm) 0.8 0.43 0.55
型号 Rxxx±3-Qxxxx-GS07-5*15
中心波长λc(nm) 796~808
中心波长范围δλc(nm) ±3
每Bar输出功率(W) 180
Bar数量 1~15
Bar间距(mm) ~0.4
型号 Rxxx±5-Q1800-GS06-5*9
中心波长λc(nm) 796~808
中心波长范围δλc(nm) ±5
每Bar输出功率(W) 200
Bar数量 9
Bar间距(mm) ~0.6
型号 R808±10-Q480-GS11-10*4
中心波长λc(nm) 808
中心波长范围δλc(nm) ±10
每Bar输出功率(W) 120
Bar数量               4
Bar间距(mm) 1.65
中心波长λc(nm) 790-812
中心波长范围δλc(nm) ±3
每Bar输出功率(W) 100 200
每组Bar数量 8 6
Bar间距(mm) 0.43 0.55
发光面积(mm×mm) 3×21 2.75×21
组间距 (mm) 1
组数量 2
中心波长λc(nm) 790-812
中心波长范围δλc(nm) ±3
每Bar输出功率(W) 100 200
每组Bar数量 8 6
Bar间距(mm) 0.43 0.55
发光面积(mm×mm) 3×32 2.75×32
组间距 (mm) 1
组数量 3
中心波长λc(nm) 790-812
中心波长范围δλc(nm) ±3
每Bar输出功率(W) 100 200
每组Bar数量 1-4 1-3
Bar间距(mm) 0.43 0.55
中心波长λc(nm) 790-812
中心波长范围δλc(nm) ±3
每Bar输出功率(W) 100 200
水平阵列组数 2
水平阵列组间距(mm) 3
每组Bar数量 1-4 1-3
Bar间距(mm) 0.43 0.55
中心波长λc(nm) 790-812
中心波长范围δλc(nm) ±3
每Bar输出功率(W) 100 200
水平阵列组数 3
水平阵列组间距(mm) 3
每组Bar数量 1-4 1-3
Bar间距(mm) 0.43 0.55
中心波长λc(nm) 790-812
中心波长范围δλc(nm) ±3
每Bar输出功率(W) 120 250
Bar组数量 6
组间距 (mm) 0.5
最大峰值功率(W) 2200 3000
每组Bar数量 1-3 1-2
每组Bar间距(mm) 0.43 0.55
中心波长λc(nm) 790-812
中心波长范围δλc(nm) ±3
每Bar输出功率(W) 120 250
Bar组数量 4
组间距 (mm) 0.5
最大峰值功率(W) 1500 2000
每组Bar数量 1-3 1-2
每组Bar间距(mm) 0.43 0.55
联系我们
010-59089507